1

IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor 2nd edition

Täpsustused:
Autor: B. Jayant Baliga
Lehekülgede arv: 800
Ilmumisaasta: 2022
Kauba ID: 16339989
20530
Lisa korvi
776 / kuus

3 6844
Ilma lisatasudeta
Sinu linn

Omniva pakiautomaat

5. märtsist

000

Smartpost pakiautomaat

5. märtsist

000

Postkontor

5. märtsist

000

Kuller

5. märtsist

399

Tähelepanu! Tarneajad on esialgsed ning selguvad pärast tellimuse vormistamist ja tasumise aega. Lõplik tarnekuupäev on märgitud tellimuse kinnituses.

Omniva pakiautomaat

5. märtsist

000

Smartpost pakiautomaat

5. märtsist

000

Postkontor

5. märtsist

000

Kuller

5. märtsist

399

Tähelepanu! Tarneajad on esialgsed ning selguvad pärast tellimuse vormistamist ja tasumise aega. Lõplik tarnekuupäev on märgitud tellimuse kinnituses.

  • 95% ostjatest soovitaks seda müüjat.

Teised on vaadanud

Toote kirjeldus: IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor 2nd edition

The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor, Second Edition provides the essential information needed by applications engineers to design new products using the device in sectors including consumer, industrial, lighting, transportation, medical and renewable energy. The IGBT device has proven to be a highly important Power Semiconductor, providing the basis for adjustable speed motor drives (used in air conditioning and refrigeration and railway locomotives), electronic ignition systems for gasoline powered motor vehicles and energy-saving compact fluorescent light bulbs. The book presents recent applications in plasma displays (flat-screen TVs) and electric power transmission systems, alternative energy systems and energy storage, but it is also used in all renewable energy generation systems, including solar and wind power. This book is the first available on the applications of the IGBT. It will unlock IGBT for a new generation of engineering applications, making it essential reading for a wide audience of electrical and design engineers, as well as an important publication for semiconductor specialists. Presents essential design information for applications engineers utilizing IGBTs in the consumer, industrial, lighting, transportation, medical and renewable energy sectors Teaches the methodology for the design of IGBT chips, including edge terminations, cell topologies, gate layouts, and integrated current sensors Covers applications of the IGBT, a device manufactured around the world by more than a dozen companies with sales exceeding $5 Billion Written by the inventor of the device, this is the first book to highlight the key role of the IGBT in enabling electric vehicles and renewable energy systems with global impacts on climate change

Üldine tooteinfo: IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor 2nd edition

Kauba ID: 16339989
Kategooria: Majandusalased raamatud
Tootepakendite arv: 1 tk.
Paki suurus ja kaal (1): 0,03 x 0,16 x 0,24 m, 0,3 kg
Kirjastus: Elsevier - Health Sciences Division
Raamatu keel: Inglise keel
Kaane tüüp: Kõva
Vorming: Traditsiooniline raamat
Tüüp: Majandusteadus
Raamat väljavõttega: Ei
Autor: B. Jayant Baliga
Lehekülgede arv: 800
Ilmumisaasta: 2022

Toodete pildid on illustratiivsed ja näitlikud. Tootekirjelduses sisalduvad videolingid on ainult informatiivsetel eesmärkidel, seega võib neis sisalduv teave erineda tootest endast. Värvid, märkused, parameetrid, mõõtmed, suurused, funktsioonid, ja / või originaaltoodete muud omadused võivad nende tegelikust väljanägemisest erineda, seega palun tutvuge tootekirjeldustes toodud tootespetsifikatsioonidega.

Partnerite pakkumised
Reklaam

Hinnangud ja arvustused (0)

IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor 2nd edition
Jäta esimene arvustus!
Toote hindamiseks pead olema sisse logitud ja toote Kaup24.ee e-poest eelnevalt ka ostnud.
Hinda toodet

Küsimused ja vastused (0)

Küsi toote kohta teistelt ostjatelt!
Esita küsimus
Teie küsimus on edukalt saadetud. Sellele küsimusele vastatakse 3 tööpäeva jooksul
Küsimus peab olema vähemalt 10 tähemärki

Soovitame osta koos: IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor 2nd edition

Reklaam

Parimad pakkumised müüjalt Bookstore Krisostomos